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ZY-DBC—091晶閘管關斷時間測試儀產(chǎn)品應用特點

快速晶閘管和高頻晶閘管的關斷時間是最難確定的重要參數(shù)之一，因為它對許多

因素有很強的依附性，例如結溫、控制極偏置、陽極電壓和電流的波形及幅值等都對

關斷時間有較大的影響。嚴格按標準測試條件制作的關斷時間測試設備線路復雜、體

積大、價格昂貴，我們參考國外有關資料介紹，設計了簡易型晶閘管關斷時間測試儀，

該儀器采用單片機控制，讀數(shù)數(shù)字顯示，具有操作簡單、體積小、重量輕、便于攜帶、

價格低廉等特點，可供晶閘管生產(chǎn)車間半成品及成品的中間測試，以供工藝設計人員

調整工藝參數(shù)提供依據(jù)。對整機應用的工程技術人員作為對元件關斷時間的選用和多

只元件串并聯(lián)時的關斷時間配對帶來方便。該測試儀所測關斷時間一般乘以常數(shù) 2±

0.2 后能大致與標準條件下測得的關斷時間相一致。

技術參數(shù)與要求：

1．關斷時間測試范圍： 3－200μS、5－500μS

2．測試結溫： 室溫測試

3．工作環(huán)境： 海拔不超過 2000 米

環(huán)境溫度：0～40℃

相對濕度：<85%

無導電及爆炸性塵埃

無腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽

無劇烈振動和沖擊

4．測量精度： ±5%

5．測量重復性誤差： ±0.5μS

6．整機電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 50VA

7．整機外形尺寸： 140×280×320mm

8．整機重量： 約 3.5Kg

ZY-DBC-021晶閘管伏安特性測試儀

該測試儀是符合國標GB4023-83《半導體器件整流二極管的測試方法》和GB-4024-83《半導體反向阻斷三極晶閘管的測試方法》，能測試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）及晶閘管模塊的VDSM、VRSM、VDRM、VRRM、IDSM、IRSM、IDRM、IRRM與各種整流二極管（ZP、ZK）的VRSM、VRRM、IRSM、IRRM等參數(shù)。線路設計簡潔精煉，采用單片機控制，具有體積小、重量輕、操作簡單、測試準確、保護可靠和維修方便等特點，是晶閘管及整流管器件生產(chǎn)廠、經(jīng)銷商及整機廠檢測器件伏安特性參數(shù)專用檢測設備

主要技術指標：

1．峰值電壓測量范圍：0—3000V、0—4500V、0—6000V、0—9000V

2．峰值漏電流測量范圍：0—100mA、0—200mA

3．峰值漏電流保護設定范圍：0—99mA、0—198mA

4．機內示波器可觀看動態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形

ZY-DBC-112晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測試臺

一、概述：

    該測試臺是將晶閘管及整流二極管的多個靜態(tài)直流參數(shù)的測試制作在一起的綜合性測試臺，能測試晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM、IH、VGT、IGT、ITM、VTM及整流二極管的VRRM、IRRM、IFM、VFM多項參數(shù)，測試方法符合GB4023-83、GB4024-83的規(guī)定。所有的參數(shù)均為數(shù)字顯示，讀數(shù)直觀準確。設備內還自帶示波器用于觀看伏安特性曲線。該設備具有操作簡單，測試準確，重復性好等特點，是電力半導體器件生產(chǎn)和使用單位的檢測設備。

二、主要技術指標和參數(shù)：

 1．峰值電壓測量范圍：0—4000V

 2．峰值漏電流測量范圍：0—100mA

 3．峰值漏電流保護設定范圍：0—99mA

 4．觸發(fā)電壓測量范圍：0—5V

 5．觸發(fā)電流測量范圍：0—450mA

 6．維持電流測量范圍：0—450mA

 7．通態(tài)峰值電流測試范圍：0—6000A

 8．通態(tài)峰值電壓測試范圍：0—5V

 9．整機電源功耗：AC220、≤1000VA

ZY-DBC-091/051/081晶閘管動態(tài)參數(shù)綜合測試臺產(chǎn)品特點

晶閘管關斷時間、電壓上升率、電流上升率綜合測試臺

一、概述：

晶閘管的關斷時間 t q  ，電壓上升率dv/dt ，電流上升率di/dt是晶閘管元件的三個重要動態(tài)參數(shù)，國標規(guī)定這三個動態(tài)參數(shù)是快速晶閘管和高頻晶閘管元件出廠前的必測項目。我們研制的三參數(shù)綜合測試臺，是以國標測試標準為依據(jù)，以滿足大批量生產(chǎn)為前提而設計的，具有操作簡單、讀數(shù)直觀、測試效率高等特點，特別是各參數(shù)自動測試、數(shù)字顯示，不用看示波器，不用手動調節(jié)，減少了人為誤差，提高了測試效率。元件上夾具后三個參數(shù)一次測完，減少了管芯表面損傷，并提高了測試效率。

二、整機技術指標：

1．關斷時間t q  測試范圍：5—200μS

主要測試條件：

①通態(tài)峰值電流：50A—1000A可調

②通態(tài)峰值電流底寬：約400μS  

③通態(tài)峰值電流下降率：-di/dt=10—20A/μS

④關斷期間施加反壓幅值：20—100V

⑤重加電壓幅值：100—1000V可調

⑥重加電壓dv/dt：30V/μS

⑦測試重復頻率：12.5Hz或6.25Hz

⑧結溫：按規(guī)定

2．dv/dt測試范圍：200、300、500、800、1000V/μS自動轉換

主要測試條件：

①dv/dt電壓幅值：0—1000V可調

②測試重復頻率：50HZ

③指數(shù)法測試

④結溫：按規(guī)定

3．di/dt測試范圍：100—200A/μS 可調

主要測試條件：

①通態(tài)峰值電流幅值：1000—2000A可調

②通態(tài)峰值電流底寬：約20μS

③開通前斷態(tài)電壓：500—1000V可調

④觸發(fā)脈沖前沿≤0.5μS，底寬=30μS

⑤測試重復頻率：50HZ

⑥結溫：按規(guī)定

4、配簡易測試恒溫夾具：

①恒溫范圍：室溫—150℃可調

②夾具壓力：人力控制。

ZY-DBC-101-ITSM晶閘管浪涌電流測試臺產(chǎn)品技術特點

晶閘管浪涌電流測試臺的測試方法符合國標，用于檢驗晶閘管的浪涌電流過載能力，主回路采用LC振蕩直接放電法，浪涌電流接近正弦半波?？刂苹芈凡捎脝纹瑱C控制，所測參數(shù)數(shù)字顯示。是晶閘管和整流二極管生產(chǎn)、應用等單位設備。

技術指標：

1．ITSM為底寬接近10ms的近似正弦半波。

2．ITSM測試范圍：500A—6000A，分辨率10A，精度±5%，數(shù)字表顯示。

3．VRM測試范圍：200V—2000V，分辨率10V，精度±5%，數(shù)字表顯示。

4．測試頻率：單次。

5．設備配有專用示波器供觀看反向伏安特性波形。

ZY-DBC-012晶閘管峰值壓降測試臺產(chǎn)品特點

本設備是依據(jù)國標 GB4023--83《半導體器件整流二極管的測試方法》和 GB4024--83《半

導體器件反向阻斷三極晶閘管的測試方法》而研制的晶閘管和整流管通態(tài)峰值電流和通態(tài)

峰值電壓的專用測試設備。能測試各種晶閘管（KP、KK、KA、KS）的 ITM及 VTM和各種整

流二極管（ZP、ZK）的 IFM及 VFM參數(shù)。本設備采用儲能式單次脈沖測試方式，通電時間

短，結溫升可忽略不計。通態(tài)峰值電流采用數(shù)字撥碼開關進行設定，峰值電壓由數(shù)字電壓

表顯示，具有操作簡單，測試準確，重復性好等特點，是電力半導體器件生產(chǎn)廠家和使

用單位檢測設備。

主要技術指標：

1．自動測試，參數(shù)數(shù)字顯示。

2．通態(tài)峰值電流測試范圍：100—3000A。

3．通態(tài)峰值電壓測試范圍：0—5V

4．峰值電流底寬：≥2mS

5．重復測試時間：小于 5S

6． 測試參數(shù)保持顯示，設置復位按鈕。

7．整機電源功耗：AC220V、小于 1KVA

8．整機外形尺寸： 600×600×800

9．整機重量：約 80kg

ZY-DBC-161晶閘管模塊全動態(tài)測試臺產(chǎn)品特點

晶閘管模塊的全動態(tài)測試，實際上是模擬器件的工頻應用狀態(tài)，在正半周施加接近單相正弦半波的額定通態(tài)平均電流，使器件自身發(fā)熱，當發(fā)熱與散熱達到熱平衡時，器件結溫將穩(wěn)定在一定值，此時在負半周施加正向或反向不重復峰值電壓或重復峰值電壓，在正向或反向重復峰值電壓下讀取正向或反向重復平均漏電流。在不加正向或反向峰值電壓時測取器件的通態(tài)平均壓降。當重復平均漏電流和通態(tài)平均壓降都小于標準規(guī)定值時，該器件為全動態(tài)測試合格。

　　晶閘管的全動態(tài)測試是過去部標測試標準中規(guī)定的器件出廠必測項目，它能將那些在高溫測試時重復峰值電壓和漏電流都合格而在通額定電流時結溫過高漏電流過大的器件淘汰掉，保證了器件出廠使用的可靠性。

該測試臺線路設計先進、主回路無負載電阻、節(jié)電效率高、操作簡單、保護可靠，是晶閘管模塊生產(chǎn)廠家控制產(chǎn)品質量檢測設備。

　　主要技術指標：

　　1.通態(tài)平均電流測試范圍： 50—500A ,50—800A ,50—1000A（分八擋）

　　2.通態(tài)平均壓降測試范圍： 0—1.5 V

　　3.正反向峰值電壓測試范圍： 0—2500 V

　　4.正反向平均漏電流測試范圍：0—15 mA

　　5.機內配有專用示波器供觀看伏安特性曲線

　　6.保護措施：當漏電流超過保護設定值時，保護線路能自動在半個周期（10mS）內關閉高壓，確保被測器件不被擊穿

　　7.冷卻方式：開環(huán)室溫吹風冷卻

　　8.供電方式：采用Ａ相和Ｃ相380V供電，最大使用功率約15KVA

ZY-DBC-101-IFSM二極管浪涌電流測試臺產(chǎn)品應用

二極管元件在實際使用中，除了能長期通過額定通態(tài)平均電流外，還應能承受一定倍數(shù)的浪涌過載電流而不致?lián)p壞，以便適應在各種應用中的要求。二極管的浪涌過載電流如果超過其允許范圍，輕者引起元件性能變壞（如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化），重者造成燒毀穿通而失去反向阻斷能力。通過浪涌過載電流測試合格的器件，可以大大提高其在使用中的可靠性。

　　我們開發(fā)研制二極管浪涌電流測試臺，主要是依據(jù)JB/T7624-94《整流二極管測試方法》和JB/T7626-94《反向阻斷三極管測試方法》的有關規(guī)定而設計的。該設備線路設計簡潔精練，采用單片機控制，完成對電容自動充電、自動穩(wěn)壓，自動檢測浪涌電流的實際波形和峰值，并存儲保持。浪涌電流峰值由數(shù)字表顯示，浪涌電流波形由波形接口輸出供外接示波器觀察分析。該設備具有技術先進、性能可靠、體積小、重量輕、操作簡單、測試重復性好、維修調試方便等特點，是電力半導體器件生產(chǎn)的試驗檢測設備。

　主要技術指標：

1. IFSM測試范圍：200A—2000A±3％

2. IFSM波形：分兩檔，分別為底寬7.5—8.5mS和9.2—10.2mS的近似正弦半波

3. ITSM測試頻率：單次波

4. 設有浪涌次數(shù)記錄顯示，為重復多次浪涌提供方便。

5. 設有ITSM存儲波形觀察接口，為維修調試提供方便。

6. 整機電源：AC220V、50Hz，平均功率小于1KVA。

7. 整機外型：600×600×960滾輪式落地機柜，可自由移動。

ZY-DBC-031晶閘管觸發(fā)特性測試儀產(chǎn)品特點

本測試儀是測試各種反向阻斷晶閘管、雙向晶閘管及逆導晶閘管的維持電流 IH、

觸發(fā)電流 IGT、觸發(fā)電壓 VGT 三項參數(shù)的專用測試設備。本儀器測試方法符合 GB4024- GB4024-83

國標的規(guī)定，線路設計簡潔精煉，采用單片機控制、自動測試、數(shù)字顯示、操作簡單、

維修方便、價格低廉，是電力半導體器件生產(chǎn)廠家和器件使用單位的檢測設

備。

 本儀器具有以下特點：

 1. 能測試雙向晶閘管I +、I -、Ⅲ - 三個象限的觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓。

 2. 可任意設定只測量某一參數(shù)或所有參數(shù)全測。

3. 每次測試只需按一下測試按鈕即可依次將所設定的參數(shù)測完并自動復位等待

下次測試。

4. 參數(shù)測試結果的顯示時間可在 1-9 秒內任意設定，也可以長時間顯示，再按下

測試按鈕進行下一參數(shù)的測試。

5. 有故障判斷功能，當被測管是壞的，或因接線錯誤、接觸不良等原因測不出參

 數(shù)時，儀器即自動判斷故障，此時測試按鈕燈閃爍一下，并能發(fā)出嘟的一聲報

 警。

二、技術參數(shù)與要求：

1. 維持電流測試范圍： 5 — 4 5 0 m A

2. 觸發(fā)電流測試范圍： 5 — 4 5 0 m A

3. 觸發(fā)電壓測試范圍： 0 — 4 . 5 V

4. 測量時間： ＜ 2 S

5. 讀數(shù)顯示時間： 1 — 9 S 可任意設定

6．工作環(huán)境： 海拔不超過 2000 米

環(huán)境溫度：0～40℃

相對濕度：<85%

晶 閘 管 I 晶 閘 管 I H、 I G T 、 V G T 自 動 測 試 儀 使 用 說 明 書 使 用 說 明 書

無導電及爆炸性塵埃

無腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽

無劇烈振動和沖擊

7．測量精度： ±5%

8.整機電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 50VA

9.整機外形尺寸： 140×320×280mm

10.整機重量： 約 5Kg

ZY-DBC-021/031晶閘管綜合測試儀主要技術指標

晶閘管的伏安特性和觸發(fā)特性是晶閘管的最基本特性，這些特性的好壞，直接影響到

器件在整機上的正常使用。因此，檢測晶閘管的伏安特性和觸發(fā)特性在晶閘管器件的生產(chǎn)、

經(jīng)銷及使用過程中都是十分重要的。測試以上參數(shù)通常由晶閘管伏安特性測試儀和晶閘管

門極觸發(fā)特性測試儀完成，測試伏安特性參數(shù)時還需另配一臺示波器觀看伏安特性曲線，

以上三臺儀器總造價比較高，且臺數(shù)多、占地大、操作不方便。我們根據(jù)廣大用戶的需求，

現(xiàn)研制出將以上三臺儀器作在一起的晶閘管伏安特性、觸發(fā)特性綜合測試儀，深受廣大用

戶好評。

該測試儀測試方法符合國標 GB4024-83 的規(guī)定，線路設計簡捷精練，采用單片機控制，

數(shù)字顯示。機內示波器可直接觀看伏安特性曲線。具有體積小、重量輕、操作簡單、測試

準確、保護可靠、維修方便、價格低廉等特點，能測試各種晶閘管及晶閘管模塊的正反向

不重復峰值電壓、正反向重復峰值電壓、正反向重復峰值漏電流及門極觸發(fā)電流與觸發(fā)電

壓。是晶閘管器件生產(chǎn)廠、器件經(jīng)銷商及整機廠檢測晶閘管多項參數(shù)的綜合性專用測試設

備。

晶閘管在使用過程中，由于受到過流、過壓、過熱等諸多因素的影響，其伏安特性和

觸發(fā)特性將會逐漸變差，甚至不能維持正常使用或*損壞，因此在進行整機維修時，對

已用過的元件和要新上機的元件進行檢測確認性能良好后再上機，對盡快排除設備故障少

走彎路很有好處。。

二、技術參數(shù)與要求：

1．峰值電壓測量范圍： 0—3000V

2．峰值漏電流測量范圍： 0—100mA

3．峰值漏電流保護設定范圍： 0—99mA

4．機內示波器可觀看動態(tài)峰值電壓與峰值漏電流的變化伏安特性曲線波形

5．觸發(fā)電壓測量范圍： 0—4.5V

 6．觸發(fā)電流測量范圍： 5—450mA

 7．工作環(huán)境： 海拔不超過 2000 米

環(huán)境溫度：0～40℃

相對濕度：<85%

無導電及爆炸性塵埃

無腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽

無劇烈振動和沖擊

8．測量精度： ±5%

9.整機電源功耗： AC220V ±10% 50Hz，小于 150VA

10.整機外形尺寸： 200×400×360mm

11.整機重量： 約 8Kg

尊敬的用戶：感謝您關注我們的產(chǎn)品，本公司除了有此產(chǎn)品介紹以外，還有真空度測試儀，SF6微水測試儀，真空開關動特性測試儀，斷路器動特性測試儀，高壓開關動特性測試儀，串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置，高低壓開關柜通電試驗臺，六相繼電保護測試儀，靜電電壓表，三倍頻發(fā)生器,三倍頻感應耐壓裝置，超低頻耐壓試驗裝置，0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器，硅橡膠高壓線，真空檢測儀,CT伏安特性測試儀,變壓器變比測試儀,礦用雜散電流測試儀，高壓測試儀,變頻介質損耗測試儀等等，您如果對我們的產(chǎn)品有興趣，咨詢。謝謝！